FDD3672 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD3672
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Gehäuse: DPAK
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 68mOhm; 44A; 135W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: FDD3672; FDD3672-F085; FDD3672_F085;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD3672 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
2500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,7349
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 68mOhm
Max. Drainstrom: 44A
Maximaler Leistungsverlust: 135W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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