FDD3706 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD3706
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 19mOhm; 50A; 44W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDD3706 RoHS
Gehäuse: DPAK
Auf Lager:
8 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9194 | 0,6050 | 0,5412 | 0,4632 | 0,4372 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Max. Drainstrom: | 50A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 44W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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