FDD3860 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD3860
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 64mOhm; 29A; 83W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 64mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDD3860 RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0259 | 0,6761 | 0,6033 | 0,5188 | 0,4883 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 64mOhm |
| Max. Drainstrom: | 29A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 83W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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