FDD3860 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD3860
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 64mOhm; 29A; 83W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD3860 RoHS Gehäuse: DPAK t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0227 0,6740 0,6014 0,5172 0,4868
Standard-Verpackung:
5/10
Widerstand im offenen Kanal: 64mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 83W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD