FDD3N40TM ON Semiconductor

Name: TFDD3n40tm TFDD3n40tm
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDD3n40tm
Price: 0.6151 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDD3n40tm

Gehäuse: DPAK

N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 3,4 Ohm; 2A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3,4Ohm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD3N40TM RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1691	0,8921	0,7371	0,6479	0,6151

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD3N40TM Gehäuse: DPAK

Externes Lager:

205000 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6151

Widerstand im offenen Kanal:	3,4Ohm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	30W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD