FDD4685 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD4685
Gehäuse: DPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 42mOhm; 40A; 69W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 42mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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