FDD5690 ON Semiconductor

Name: TFDD5690 TFDD5690
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDD5690
Price: 0.6104 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDD5690

Gehäuse: TO252

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 48mOhm; 30A; 50W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	48mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD5690 RoHS Gehäuse: TO252 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,1597	0,8850	0,7324	0,6432	0,6104

Widerstand im offenen Kanal:	48mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	50W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD