FDD6637 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD6637
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 35V; 25V; 19mOhm; 55A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD6637 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
7500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,3214
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 19mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 35V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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