FDD6637 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD6637
Gehäuse: DPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 35V; 25V; 19mOhm; 55A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Max. Drainstrom: | 55A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 19mOhm |
| Max. Drainstrom: | 55A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 35V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 25V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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