FDD6685 Fairchild

Symbol Micros: TFDD6685
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 30mOhm; 40A; 52W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD6685 Gehäuse: DPAK  
Externes Lager:
7500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,3154
Standard-Verpackung:
2500
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Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 30mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 52W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD