FDD6685 Fairchild

Symbol Micros: TFDD6685

Gehäuse: DPAK

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 30mOhm; 40A; 52W; -55 °C ~ 175 °C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	52W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	30mOhm
Max. Drainstrom:	40A
Maximaler Leistungsverlust:	52W
Gehäuse:	DPAK
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	25V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD