FDD7N25LZTM

Symbol Micros: TFDD7n25lztm
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 570 mOhm; 6,2A; 56W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 570mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD7N25LZTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 270+
Nettopreis (EUR) 0,9744 0,6443 0,5327 0,4781 0,4644
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Standard-Verpackung:
270
Widerstand im offenen Kanal: 570mOhm
Max. Drainstrom: 6,2A
Maximaler Leistungsverlust: 56W
Gehäuse: TO252
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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