FDD7N25LZTM

Name: TFDD7n25lztm TFDD7n25lztm
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDD7n25lztm
Price: 0.5999 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDD7n25lztm

Gehäuse: TO252

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 570 mOhm; 6,2A; 56W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	570mOhm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	56W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD7N25LZTM RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

15 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	270+
Nettopreis (EUR)	1,1410	0,7952	0,6752	0,6164	0,5999

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD7N25LZTM Gehäuse: TO252

Externes Lager:

2500 stk.

Anzahl Stück	2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,5999

Widerstand im offenen Kanal:	570mOhm
Max. Drainstrom:	6,2A
Maximaler Leistungsverlust:	56W
Gehäuse:	TO252
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD