FDD8451 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD8451
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 41mOhm; 28A; 30W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD8451 RoHS Gehäuse: DPAK Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,0545 0,7724 0,6197 0,5319 0,5018
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Max. Drainstrom: 28A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD