FDD86102
Symbol Micros:
TFDD86102
Gehäuse: TO252
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 36A; 62W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDD86102LZ;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 36A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
| Max. Drainstrom: | 36A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 62W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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