FDD86102LZ

Symbol Micros: TFDD86102lz
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 40mOhm; 35A; 54W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Max. Drainstrom: 35A
Gehäuse: TO252
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDD86102LZ RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2114 0,9258 0,7646 0,6702 0,6380
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD86102LZ Gehäuse: TO252  
Externes Lager:
2500 stk.
Anzahl Stück 2500+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,6380
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Standard-Verpackung:
2500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 54W
Max. Drainstrom: 35A
Gehäuse: TO252
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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