FDD86252 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD86252
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDD86252 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5353 1,1714 0,9696 0,8498 0,8076
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD