FDD86252 ON Semiconductor
Symbol Micros:
TFDD86252
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 103mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 89W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDD86252 RoHS
Gehäuse: DPAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,5461 | 1,1796 | 0,9763 | 0,8558 | 0,8132 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDD86252
Gehäuse: DPAK
Externes Lager:
2500 stk.
| Anzahl Stück | 2500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8132 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 103mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 89W |
| Gehäuse: | DPAK |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 150V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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