FDD86252 ON Semiconductor

Symbol Micros: TFDD86252
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 103mOhm; 27A; 89W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDD86252 RoHS Gehäuse: DPAK t/r Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,4949 1,1406 0,9440 0,8274 0,7863
Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 103mOhm
Max. Drainstrom: 27A
Maximaler Leistungsverlust: 89W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD