FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC
Symbol Micros:
TFDD8896 TEC
Gehäuse: TO252
Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 7,5mOhm; 90A; 181W; -55°C ~ 175°C; Ersatz: FDD8896-VB; YFW100N03AD;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 181W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 90A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 181W |
| Gehäuse: | TO252 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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