FDD8896 TO-252 TECH PUBLIC

Symbol Micros: TFDD8896 TEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 7,5mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 181W
Gehäuse: TO252
Hersteller: TECH PUBLIC
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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