FDG6301N

Symbol Micros: TFDG6301N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
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Trans MOSFET N-CH 25V 0.22A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC-70-6
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6301N RoHS 01. Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
480 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 30+ 100+ 480+
Nettopreis (EUR) 0,3160 0,2055 0,1585 0,1344 0,1215
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Standard-Verpackung:
480
Widerstand im offenen Kanal: 5Ohm
Max. Drainstrom: 220mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC-70-6
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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