FDG6303N
Symbol Micros:
TFDG6303n
Gehäuse: SC70-6
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 500mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SC-70-6 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDG6303N RoHS
Gehäuse: SC70-6 t/r
Auf Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3193 | 0,1768 | 0,1394 | 0,1265 | 0,1225 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDG6303N
Gehäuse: SC70-6
Externes Lager:
30000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1225 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDG6303N
Gehäuse: SC70-6
Externes Lager:
173694 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1225 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 600mOhm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SC-70-6 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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