FDG6308P
Symbol Micros:
TFDG6308P
Gehäuse: SC70-6
Trans MOSFET P-CH 20V 0.6A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 600mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SC70-6 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 600mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SC70-6 |
| Hersteller: | ONSEMI |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole