FDG6308P-P
Symbol Micros:
TFDG6308P-P TEC
Gehäuse: SOT363
SOT-363 MOSFETs ROHS
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05Ohm |
| Max. Drainstrom: | 1,1A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 280mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | 2xP-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole