FDG6321C

Symbol Micros: TFDG6321C
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
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Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6321C RoHS 21. Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4565 0,2762 0,2128 0,1919 0,1826
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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