FDG6321C

Symbol Micros: TFDG6321C
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
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Trans MOSFET N/P-CH 25V 0.5A/0.41A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDG6321C RoHS Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,6036 0,3827 0,3007 0,2733 0,2620
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200
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 500mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: 2xN/P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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