FDG6332C

Symbol Micros: TFDG6332c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC-88
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Transistor N/P-MOSFET; 20V; 12V; 300mOhm; 600mA; 300mW; -55°C~150°C; Äquivalent: FDG6332C-F085 FDG6332C_F085
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC-88
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6332C RoHS 32. Gehäuse: SC-88 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4282 0,2815 0,2015 0,1762 0,1651
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 300mOhm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC-88
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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