FDG6335N

Symbol Micros: TFDG6335N
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SC70-6
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Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDG6335N RoHS 35. Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4848 0,2942 0,2259 0,2038 0,1939
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 700mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SC70-6
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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