FDG6335N

Name: TFDG6335N TFDG6335N
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDG6335N
Price: 0.1929 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDG6335N

Gehäuse: SC70-6

Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	700mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6335N RoHS 35. Gehäuse: SC70-6 t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4822	0,2926	0,2247	0,2027	0,1929

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDG6335N Gehäuse: SC70-6

Externes Lager:

48000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1929

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	700mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SC70-6
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD