FDG6335N
Symbol Micros:
TFDG6335N
Gehäuse: SC70-6
Trans MOSFET N-CH 20V 0.7A 6-Pin SC-70 T/R ONSEMI
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
Max. Drainstrom: | 700mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SC70-6 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDG6335N RoHS 35.
Gehäuse: SC70-6 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4822 | 0,2926 | 0,2247 | 0,2027 | 0,1929 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDG6335N
Gehäuse: SC70-6
Externes Lager:
48000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1929 |
Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
Max. Drainstrom: | 700mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
Gehäuse: | SC70-6 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 12V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole