FDL100N50F

Symbol Micros: TFDL100n50f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO264
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; +/-30V; 43mOhm; 100A; 2,5 kW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5kW
Gehäuse: TO264
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDL100N50F RoHS Gehäuse: TO264  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 20+ 40+
Nettopreis (EUR) 19,4626 16,9186 15,2640 14,6532 14,2061
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 43mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5kW
Gehäuse: TO264
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: THT

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