FDMC5614P ON SEMICONDUCTOR

Symbol Micros: TFDMC5614P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: MLP08
P-Channel PowerTrenchR MOSFET 60V, 5,7A, 135mOhm OBSOLETE
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: MLP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 135mOhm
Max. Drainstrom: 5,7A
Maximaler Leistungsverlust: 2,1W
Gehäuse: MLP08
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD