FDMS86101
Symbol Micros:
TFDMS86101
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin Power 56 EP
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Max. Drainstrom: | 12,4A |
| Gehäuse: | PQFN08 (6x5mm) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Max. Drainstrom: | 12,4A |
| Gehäuse: | PQFN08 (6x5mm) |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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