FDMS86101

Symbol Micros: TFDMS86101
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin Power 56 EP
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 12,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86101 Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8224
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86101 Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9549
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86101 Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)  
Externes Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9778
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 13,5mOhm
Max. Drainstrom: 12,4A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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