FDMS86101

Name: TFDMS86101 TFDMS86101
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDMS86101
Price: 0.8990 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDMS86101

Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)

Trans MOSFET N-CH Si 100V 12.4A 8-Pin Power 56 EP

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	13,5mOhm
Max. Drainstrom:	12,4A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	PQFN08 (6x5mm)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86101 Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)

Externes Lager:

24000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1267

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86101 Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)

Externes Lager:

21000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8775

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86101 Gehäuse: PQFN08 (6x5mm)

Externes Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8990

Widerstand im offenen Kanal:	13,5mOhm
Max. Drainstrom:	12,4A
Maximaler Leistungsverlust:	2,5W
Gehäuse:	PQFN08 (6x5mm)
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD