FDMS86200

Symbol Micros: TFDMS86200

Gehäuse: Power56

Trans MOSFET N-CH Si 150V 9.6A 8-Pin Power 56 T/R

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	9,6A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	Power56
Hersteller:	ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDMS86200 RoHS Gehäuse: Power56 Datenblatt

Auf Lager:

80 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	1,8246	1,4465	1,2301	1,1298	1,0729

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	9,6A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	Power56
Hersteller:	ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	150V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD