FDMS86500DC

Symbol Micros: TFDMS86500DC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: Power56
Trans MOSFET N-CH Si 60V 29A 8-Pin Power 56 T/R
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 3,2W
Gehäuse: Power56
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 3,3mOhm
Max. Drainstrom: 29A
Maximaler Leistungsverlust: 3,2W
Gehäuse: Power56
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD