FDN302P

Name: TFDN302p TFDN302p
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDN302p
Price: 0.2164 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN302p

Gehäuse: SSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	84mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P RoHS Gehäuse: SSOT3

Auf Lager:

480 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3485	0,1939	0,1528	0,1390	0,1344

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

39000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1344

Widerstand im offenen Kanal:	84mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD