FDN302P

Symbol Micros: TFDN302p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 84mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P RoHS Gehäuse: SSOT3  
Auf Lager:
480 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3483 0,1937 0,1528 0,1389 0,1343
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 84mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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