FDN302P

Name: TFDN302p TFDN302p
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDN302p
Price: 0.2246 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN302p

Gehäuse: SSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	84mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P RoHS .302.. Gehäuse: SSOT3

Auf Lager:

480 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,5626	0,3381	0,2577	0,2326	0,2246

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

258000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2246

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,2246

Widerstand im offenen Kanal:	84mOhm
Max. Drainstrom:	2,4A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD