FDN302P

Symbol Micros: TFDN302p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 12V; 84mOhm; 2,4A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 84mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN302P RoHS .302.. Gehäuse: SSOT3  
Auf Lager:
480 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,5588 0,3358 0,2559 0,2310 0,2231
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 84mOhm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole