FDN335N

Symbol Micros: TFDN335n

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 120 mOhm; 1,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	1,7A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN335N RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

498 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4460	0,2676	0,2052	0,1848	0,1784

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN335N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

48000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1784

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN335N Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

171000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1784

Widerstand im offenen Kanal:	120mOhm
Max. Drainstrom:	1,7A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD