FDN336P

Name: TFDN336p TFDN336p
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDN336p
Price: 0.1233 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN336p

Gehäuse: SuperSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 320 mOhm; 1,3A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	320mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SuperSOT3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN336P RoHS Gehäuse: SuperSOT3

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3113	0,1986	0,1394	0,1210	0,1132

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN336P Gehäuse: SuperSOT3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1292

Widerstand im offenen Kanal:	320mOhm
Max. Drainstrom:	1,3A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SuperSOT3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD