FDN337N

Symbol Micros: TFDN337n

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0602

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

309000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0605

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

579000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0541

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD