FDN337N

Symbol Micros: TFDN337n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDN337N RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3193 0,1707 0,1329 0,1202 0,1162
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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