FDN337N

Symbol Micros: TFDN337n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2250 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2939 0,1629 0,1082 0,0902 0,0841
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0974
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
513000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0841
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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