FDN337N

Symbol Micros: TFDN337n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDN337N RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3190 0,1705 0,1328 0,1201 0,1161
Standard-Verpackung:
500
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
9627000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1161
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
333000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1161
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
204000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1161
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 2,2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD