FDN337N

Symbol Micros: TFDN337n

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 8V; 110mOhm; 2,2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	8V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

Auf Lager:

2250 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2953	0,1636	0,1087	0,0906	0,0845

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

1100 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0981

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN337N Gehäuse: SOT23-3

Externes Lager:

555000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,0845

Widerstand im offenen Kanal:	110mOhm
Max. Drainstrom:	2,2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD