FDN338P
Symbol Micros:
TFDN338P TEC
Gehäuse: SOT23
SOT-23 MOSFETs ROHS
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,6A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,1W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | TECH PUBLIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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