FDN358P

Symbol Micros: TFDN358p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SuperSOT3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SuperSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN358P RoHS Gehäuse: SuperSOT3 Datenblatt
Auf Lager:
1180 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4913 0,2971 0,2284 0,2061 0,1961
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 210mOhm
Max. Drainstrom: 1,5A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SuperSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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