FDN358P

Name: TFDN358p TFDN358p
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDN358p
Price: 0.1962 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN358p

Gehäuse: SuperSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SuperSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN358P RoHS Gehäuse: SuperSOT3 Datenblatt

Auf Lager:

1180 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4916	0,2973	0,2285	0,2062	0,1962

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN358P Gehäuse: SuperSOT3

Externes Lager:

429000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1962

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN358P Gehäuse: SuperSOT3

Externes Lager:

33000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1962

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SuperSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD