FDN358P

Name: TFDN358p TFDN358p
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDN358p
Price: 0.1535 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN358p

Gehäuse: SuperSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 210mOhm; 1,5A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SuperSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN358P RoHS Gehäuse: SuperSOT3 Datenblatt

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,3986	0,2198	0,1729	0,1601	0,1535

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN358P Gehäuse: SuperSOT3

Externes Lager:

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Anzahl Stück	3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,1535

Widerstand im offenen Kanal:	210mOhm
Max. Drainstrom:	1,5A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SuperSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD