FDN360P

Symbol Micros: TFDN360P
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 136 mOhm; 2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 136mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P RoHS Gehäuse: SSOT3  
Auf Lager:
190 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 1500+
Nettopreis (EUR) 0,3020 0,1932 0,1360 0,1154 0,1098
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Standard-Verpackung:
300
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3  
Externes Lager:
3100 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1260
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3  
Externes Lager:
663000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1098
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 136mOhm
Max. Drainstrom: 2A
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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