FDN360P

Name: TFDN360P TFDN360P
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDN360P
Price: 0.1101 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN360P

Gehäuse: SSOT3

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 136 mOhm; 2A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	136mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P RoHS Gehäuse: SSOT3

Auf Lager:

190 stk.

Anzahl Stück	3+	10+	50+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,3028	0,1937	0,1364	0,1157	0,1101

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

390000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1101

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1101

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN360P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

588000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1101

Widerstand im offenen Kanal:	136mOhm
Max. Drainstrom:	2A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD