FDN361BN
Symbol Micros:
TFDN361bn
Gehäuse: SuperSOT3
N-MOSFET 1.4A 30V 0.5W 0.16Ohm OBSOLETE;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SuperSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 160mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,4A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SuperSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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