FDN5618P

Symbol Micros: TFDN5618p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SSOT3
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Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 315mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Max. Drainstrom: 10A
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDN5618P RoHS 618. Gehäuse: SSOT3 Datenblatt
Auf Lager:
2368 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2707 0,1440 0,1118 0,1031 0,0987
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 315mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 500mW
Max. Drainstrom: 10A
Gehäuse: SSOT3
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 4V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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