FDN5618P

Name: TFDN5618p TFDN5618p
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDN5618p
Price: 0.1994 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDN5618p

Gehäuse: SSOT3

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 315mOhm; 10A; 0,5W; -55°C~150°C; FDN5618P

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	315mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	4V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN5618P RoHS 618. Gehäuse: SSOT3 Datenblatt

Auf Lager:

3818 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2757	0,1466	0,1138	0,1050	0,1005

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN5618P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

36000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1119

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDN5618P Gehäuse: SSOT3

Externes Lager:

9000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,1005

Widerstand im offenen Kanal:	315mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	500mW
Gehäuse:	SSOT3
Hersteller:	ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	4V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD