FDN5618P SOT23(T/R) ElecSuper

Symbol Micros: TFDN5618p ES
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor P-Kanal MOSFET; 60V; 20V; 253mOhm; 1,8A; 1,2W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 253mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: ElecSuper Hersteller-Teilenummer: FDN5618P RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2161 0,1026 0,0578 0,0430 0,0393
Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 253mOhm
Max. Drainstrom: 1,8A
Maximaler Leistungsverlust: 1,2W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ElecSuper
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD