FDN5630
Symbol Micros:
TFDN5630
Gehäuse: SuperSOT3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 180 mOhm; 1,7A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SuperSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN5630
Gehäuse: SuperSOT3
Externes Lager:
42000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0851 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN5630
Gehäuse: SuperSOT3
Externes Lager:
48000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0816 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
| Gehäuse: | SuperSOT3 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole