FDP18N50

Name: TFDP18n50 TFDP18n50
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDP18n50
Price: 1.3980 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP18n50

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 265 mOhm; 18A; 235 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	235W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

47 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,0982	1,7588	1,5642	1,4431	1,3980

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

720 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5635

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

4900 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3980

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP18N50 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

12471 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,3980

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	235W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT