FDP20N50 Fairchild

Symbol Micros: TFDP20n50

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 230 mOhm; 20A; 250 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: FDP20N50F; FDP20N50; CSD18532KCS;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	230mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	250W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT