FDP2532

Symbol Micros: TFDP2532
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 48mOhm; 79A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP2532 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 200+
Nettopreis (EUR) 3,7397 2,9932 2,6997 2,5448 2,5096
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 48mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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