FDP26N40

Symbol Micros: TFDP26n40

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 30V; 160 mOhm; 26A; 265 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	26A
Maximaler Leistungsverlust:	265W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDP26N40 RoHS Gehäuse: TO220

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Anzahl Stück	1+	3+	10+	30+	100+
Nettopreis (EUR)	2,7315	2,3503	2,1258	2,0159	1,9504

Widerstand im offenen Kanal:	160mOhm
Max. Drainstrom:	26A
Maximaler Leistungsverlust:	265W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT