FDP3632

Symbol Micros: TFDP3632
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 22mOhm; 80A; 310 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 22mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 310W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT