FDP42AN15A0

Symbol Micros: TFDP42an15a0
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 150V; 20V; 107mOhm; 30A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 107mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP42AN15A0 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4226 0,9954 0,8475 0,7747 0,7489
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 107mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 150V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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