FDP51N25
Symbol Micros:
TFDP51n25
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 51A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 320W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP51N25
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
3740 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2469 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP51N25
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
750 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,3128 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDP51N25
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
300 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,2176 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-08-29
Anzahl Stück: 50
| Widerstand im offenen Kanal: | 60mOhm |
| Max. Drainstrom: | 51A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 320W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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