FDP51N25

Symbol Micros: TFDP51n25

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	320W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,1049	1,7654	1,5687	1,4470	1,4025

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

770 stk.

Anzahl Stück	10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,5647

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	320W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT