FDP51N25

Symbol Micros: TFDP51n25
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,1105 1,7701 1,5729 1,4508 1,4062
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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