FDP51N25

Name: TFDP51n25 TFDP51n25
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDP51n25
Price: 1.4490 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP51n25

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	320W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,1746	1,7252	1,5590	1,4747	1,4490

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 Gehäuse: TO220

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5590 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4490

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 Gehäuse: TO220

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350 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4490

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

750 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4490

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	51A
Maximaler Leistungsverlust:	320W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	250V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT