FDP51N25

Symbol Micros: TFDP51n25
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 30V; 60mOhm; 51A; 320 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,0478 1,7175 1,5262 1,4077 1,3645
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
740 stk.
Anzahl Stück 10+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6671
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Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP51N25 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4891 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,3645
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 51A
Maximaler Leistungsverlust: 320W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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