FDP52N20

Symbol Micros: TFDP52n20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 49mOhm; 52A; 357W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 357W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP52N20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
40 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9393 1,6263 1,4451 1,3345 1,2921
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP52N20 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
600 stk.
Anzahl Stück 300+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2921
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP52N20 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1224 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,2921
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 49mOhm
Max. Drainstrom: 52A
Maximaler Leistungsverlust: 357W
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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