FDP61N20

Symbol Micros: TFDP61n20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Max. Drainstrom: 61A
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
59 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,9577 1,6403 1,4583 1,3463 1,3043
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 41mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Max. Drainstrom: 61A
Gehäuse: TO220
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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