FDP61N20

Name: TFDP61n20 TFDP61n20
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDP61n20
Price: 1.2902 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP61n20

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	417W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

59 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9364	1,6225	1,4425	1,3317	1,2902

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

2967 stk.

Anzahl Stück	800+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,2902

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	417W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT