FDP61N20

Name: TFDP61n20 TFDP61n20
Brand: ON-Semiconductor
SKU: TFDP61n20
Price: 1.5741 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP61n20

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	417W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

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Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,3623	1,9811	1,7600	1,6235	1,5741

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 Gehäuse: TO220

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Nettopreis (EUR)	1,5741

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Geplantes Datum:
2026-05-01

Anzahl Stück: 50

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	417W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT