FDP61N20

Name: TFDP61n20 TFDP61n20
Brand: ON-Semicoductor
SKU: TFDP61n20
Price: 1.5779 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TFDP61n20

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 41mOhm; 61A; 417W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	417W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,3680	1,9859	1,7642	1,6274	1,5779

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 Gehäuse: TO220

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800 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5779

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 Gehäuse: TO220

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400 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5779

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDP61N20 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

10694 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,5779

Widerstand im offenen Kanal:	41mOhm
Max. Drainstrom:	61A
Maximaler Leistungsverlust:	417W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung:	200V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT