FDPF18N50

Symbol Micros: TFDPF18n50
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 265 mOhm; 18A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 265mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDPF18N50 RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
6 stk.
Anzahl Stück 1+ 6+ 18+ 30+ 150+
Nettopreis (EUR) 3,6510 2,7902 2,5543 2,4835 2,3562
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Standard-Verpackung:
6
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDPF18N50 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,3562
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 265mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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