FDPF18N50

Symbol Micros: TFDPF18n50

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 265 mOhm; 18A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	38,5W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDPF18N50 RoHS Gehäuse: TO220iso

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6 stk.

Anzahl Stück	1+	6+	18+	30+	150+
Nettopreis (EUR)	3,6244	2,7698	2,5357	2,4655	2,3390

Widerstand im offenen Kanal:	265mOhm
Max. Drainstrom:	18A
Maximaler Leistungsverlust:	38,5W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT