FDPF20N50FT

Symbol Micros: TFDPF20n50ft

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 260 mOhm; 20A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	260mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	38,5W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Max. Gate-Source Spannung:	30V

Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDPF20N50FT RoHS Gehäuse: TO220iso

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7 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	2,1965	1,8415	1,6376	1,5094	1,4635

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDPF20N50FT Gehäuse: TO220iso

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12950 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,6650

Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDPF20N50FT Gehäuse: TO220iso

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Geplantes Datum:
2026-10-23

Anzahl Stück: 50

Widerstand im offenen Kanal:	260mOhm
Max. Drainstrom:	20A
Maximaler Leistungsverlust:	38,5W
Gehäuse:	TO220iso
Hersteller:	Fairchild
Max. Drain-Source Spannung:	500V
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT