FDPF20N50FT

Symbol Micros: TFDPF20n50ft
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 30V; 260 mOhm; 20A; 38,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDPF20N50FT RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
7 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 2,1845 1,8314 1,6287 1,5011 1,4556
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Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDPF20N50FT Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
12950 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 1,6515
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Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 260mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 38,5W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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