FDPF3860T
Symbol Micros:
TFDPF3860t
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38,2 mOhm; 20A; 33,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 38,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33,8W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDPF3860T RoHS
Gehäuse: TO220iso
Auf Lager:
20 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1409 | 0,8005 | 0,6785 | 0,6221 | 0,6010 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDPF3860T
Gehäuse: TO220iso
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 250+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6010 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 38,2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 33,8W |
| Gehäuse: | TO220iso |
| Hersteller: | Fairchild |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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