FDPF3860T

Symbol Micros: TFDPF3860t
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 38,2 mOhm; 20A; 33,8 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38,2mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 33,8W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDPF3860T RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1071 0,7768 0,6583 0,6036 0,5831
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Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ON-Semiconductor Hersteller-Teilenummer: FDPF3860T Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
1834 stk.
Anzahl Stück 200+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5836
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 38,2mOhm
Max. Drainstrom: 20A
Maximaler Leistungsverlust: 33,8W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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