FDPF39N20

Symbol Micros: TFDPF39n20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDPF39N20 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,5068 1,1166 0,9779 0,9074 0,8862
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
20
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: FDPF39N20 Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
800 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9207
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole