FDPF39N20

Symbol Micros: TFDPF39n20
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 66mOhm; 39A; 37W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Fairchild Hersteller-Teilenummer: FDPF39N20 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,5306 1,0705 0,9109 0,8334 0,8052
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 66mOhm
Max. Drainstrom: 39A
Maximaler Leistungsverlust: 37W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: Fairchild
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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